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IRF7509TRPBF Infineon Technologies AG Risorsa autorizzata & Prezzo competitivo

  • IRF7509TRPBF - Infineon Technologies AG - Circuiti integrati componenti elettronici
  • IRF7509TRPBF - Infineon Technologies AG - Circuiti integrati componenti elettronici


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Numero parte:
IRF7509TRPBF
Parte Worldway:
IRF7509TRPBF-4383023
Fabbricante:
Infineon Technologies AG
Categoria:
Circuiti integrati componenti elettronici
Applicazioni:
Apparecchiature di comunicazione Modulo Datacom Industriale Industriale transport (non-car & non-light truck) Elettronica personale PC e notebook
Descrizione:

Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R

RoHS:
Senza piombo / Conforme RoHS
Categoria di stock:
disponibile
Risorsa stock:
Stock in eccesso di fabbrica / distributore in franchising
Garanzia:
1 anno di garanzia Worldway » Per saperne di più
Modelli EDA / CAD:
IRF7509TRPBF Impronta PCB e simbolo
Scheda dati:
IRF7509TRPBF Scheda dati
Consegna:
Consegna
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Vantaggio competitivo

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IRF7509TRPBF(Infineon Technologies AG) specificazioni
Manufacturer: IR
Product Category: FETs - Arrays
Series: HEXFETR
Packaging: Digi-ReelR Alternate Packaging
Mounting-Style: SMD/SMT
Package-Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Technology: Si
Operating-Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting-Type: Surface Mount
Number-of-Channels: 2 Channel
Supplier-Device-Package: Micro8
Configuration: 1 N-Channel 1 P-Channel
FET-Type: N and P-Channel
Power-Max: 1.25W
Transistor-Type: 1 N-Channel 1 P-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 30V
Input-Capacitance-Ciss-Vds: 210pF @ 25V
FET-Feature: Logic Level Gate
Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 2.7A, 2A
Rds-On-Max-Id-Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs-th-Max-Id: 1V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs: 12nC @ 10V
Pd-Power-Dissipation: 1.25 W
Maximum-Operating-Temperature: + 150 C
Minimum-Operating-Temperature: - 55 C
Fall-Time: 5.3 ns 9.3 ns
Rise-Time: 10 ns 12 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V
Id-Continuous-Drain-Current: 2.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance: 200 mOhms
Transistor-Polarity: N-Channel P-Channel
Typical-Turn-Off-Delay-Time: 12 ns 19 ns
Typical-Turn-On-Delay-Time: 4.7 ns 9.7 ns
Qg-Gate-Charge: 7.8 nC 7.5 nC
Forward-Transconductance-Min: 1.9 S 0.92 S
Channel-Mode: Enhancement
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Part # Manufacturer Description Stock Price
IRF7509TRPBF DISTI # V72:2272_13891275
Infineon Technologies AG Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R RoHS: Compliant 246
  • 100 $0.2595
  • 25 $0.4102
  • 10 $0.4154
  • 1 $0.4800
Part # Manufacturer Description Stock Price
IRF7509TRPBF DISTI # IRF7509TRPBFCT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT) 46649
In Stock
  • 1000 $0.3172
  • 500 $0.3966
  • 100 $0.5353
  • 10 $0.6940
  • 1 $0.7900
IRF7509TRPBF DISTI # IRF7509TRPBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel® 46649
In Stock
  • 1000 $0.3172
  • 500 $0.3966
  • 100 $0.5353
  • 10 $0.6940
  • 1 $0.7900
IRF7509TRPBF DISTI # IRF7509TRPBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 RoHS: Compliant Min Qty: 4000 Container: Tape & Reel (TR) 44000
In Stock
  • 4000 $0.2791

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Quantità richiesta)
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Prezzo unitario

1+$ 0.2709
10+$ 0.2574
100+$ 0.2438
500+$ 0.2303
1000+$ 0.2167
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